Číslo produktu výrobce:
TSM160N10LCR RLG
Product Overview
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dílu:
TSM160N10LCR RLG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 46A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventář:
10887 Ks Nový Originál Skladem
12897845
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TSM160N10LCR RLG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Taiwan Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
46A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
16mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4431 pF @ 50 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-PDFN (5x6)
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
TSM160
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
TSM160N10LCR RLGTR
TSM160N10LCR RLGDKR
TSM160N10LCRRLGDKR
TSM160N10LCR RLGTR-DG
TSM160N10LCR RLGDKR-DG
TSM160N10LCR RLGCT-DG
TSM160N10LCRRLGCT
TSM160N10LCRRLGTR
TSM160N10LCR RLGCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TSM80N1R2CH C5G
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
TSM60N06CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252
TSM3N90CI C0G
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
